طور باحثون أول رقاقة ذاكرة مصنوعة بصورة خالصة من
السيلكون تعتمد على أكاسيد المعادن، يمكنها أن تعمل في الظروف البيئية
العادية حتى عندما ينقطع التيار الكهربائي، مما يفتح الباب أمام إمكانية
تصنيع ذاكرة جديدة فائقة السرعة.

وبحسب موقع "ساينس ديلي" الإلكتروني، فإن رقائق ذاكرة الوصول
العشوائي (رام) التي طورها باحثون في جامعة لندن ببريطانيا وتسمى "ريزيستيف
رام"، تعتمد على مواد معظمهما أكاسيد معادن، تتغير مقاومتها الكهربائية
عندما يمر بها تيار كهربائي، وهي "تتذكر" هذه التغييرات حتى عندما ينقطع
التيار.



وتَعِد الرقائق الجديدة بإمكانية تخزين كبيرة جدا مقارنة
بالتكنولوجيا الحالية، مثل ذاكرة فلاش التي تستخدم في أدوات الناقل
المتسلسل العام (يو إس بي) وتتطلب طاقة ومساحة أقل بكثير جدا.

وطور فريق الباحثين هيكلا جديدا يتكون من أكسيد السيلكون، وصف
في ورقة بحثية نشرت مؤخرا في "دورية الفيزياء التطبيقية"، بأنه يمكنه
إجراء التغيير في المقاومة بكفاءة أكبر مما تم إنجازه من قبل.

وفي مادة الرقائق المذكورة يتغير ترتيب ذرات السيلكون ليشكل
خيوطا من السيلكون في أكسيد السيلكون الصلب، وهو أقل مقاومة، ويمثل وجود أو
غياب هذه الخيوط "تحولا" من حالة لأخرى.

http://www.aljazeera.net/news/pages/fde4a4e5-de60-4363-9eaa-a99dd8aeb35d?GoogleStatID=9